E' un dispositivo ibrido tra un MOSFET e un transistor bipolare.
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| Simbolo circuitale dell' IGBT |
Gli IGBT sono dispositivi controllati in tensione, proprio come MOSFET. Essi combinano l'elevata capacità di corrente e la bassa tensione di saturazione di un transistor, e il semplice azionamento del gate del MOSFET. Hanno tre piedini, proprio come ogni altro dispositivo. I piedini sono etichettati Gate, collettore e emettitore. Il collettore è l'equivalente del drain di un MOSFET, e l'emettitore, il source di un mosfet.
Gli IGBT hanno la loro giusta quota di problemi, hanno un coefficiente di temperatura negativo, come transistor. Significa,che più caldo diventa, più corrente che conduce, causando instabilità termica.
Rispetto al MOSFET, gli IGBT sono un po 'più lenti, a loro volta spegnersi e accendersi . Di solito sono in grado di gestire qualsiasi frequenza, da 0 Hz a circa 40-50 kHz,.
IGBT sono rinomati per la loro capacità di conduzione. La maggior parte può gestire correnti di oltre di 50 ampere,, con tensioni superiori a 600 volt! Sono perfetti per bassa frequenza, ai fini di alta corrente e alta tensione, dove mosfet sono buoni per alta frequenza, corrente bassa, e gli scopi di tensione più bassi.
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| IGBT 25N120 |
IGBT non hanno diodi corpo intricati, come mosfet. Tuttavia, produce spesso fare un favore, e mettere un diodo ad alta tensione ad alta velocità con il package dell' IGBT, per la facilità d'uso. Assicuratevi di controllare la velocità diodo quando si usa l'IGBT con alte frequenze. Ma, ci sono delle eccezioni, alcuni di IGBT non hanno diodi a interno, e può richiedere di aggiungere uno al di fuori del package.
Gli IGBT sono utilizzati in saldatori, riscaldatori ad induzione, forni a microonde, e in alcune applicazioni dove erano stati utilizzati dei MOSFET.
Esiste un solo tipo di IGBT. Nessun canale N o canali di P!
IGBT comuni
IRG7PH42U
25N120
30N120
Fonte: http://www.instructables.com
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